Xeon 处理器 🏆 排名: 2435

Xeon E5530

详细规格、性能、技术和基准测试结果。

📅 30 марта 2009 (17 лет назад)
基础频率
2.40 GHz
🚀
Boost
2.66 GHz
💾
缓存 / 内存
144 Гб
🔥
功耗
80 W
🧪
制程工艺
45 nm
🔗
插槽 / 接口
FCLGA1366,PLGA1366
📁

Базовая информация

10 项规格
性能排名: 2435
热门排名: не в топ-100
性价比: 0.07
类型: Серверный
能效: 0.82
开发商: Intel
制造商: Intel
架构代号: Gainestown (2009−2010)
发布日期: 30 марта 2009 (17 лет назад)
首发价格: $340
🧩

Подробные характеристики

13 项规格
核心数: 4
线程数: 8
基础频率: 2.40 GHz
最大频率: 2.66 GHz
L1 缓存: 64 Кб (на ядро)
L2 缓存: 256 Кб (на ядро)
L3 缓存: 8 Мб (всего)
制程工艺: 45 nm
芯片面积: 263 мм2
晶体管数量: 731 млн
64 位支持: +
Максимальная температура ядра: 76 °C
Совместимость с Windows 11: -
🔌

Совместимость

3 项规格
配置中的最大处理器数量: 2
插槽: FCLGA1366,PLGA1366
功耗 (TDP): 80 W
🧩

Характеристики памяти

5 项规格
内存类型: DDR3
Допустимый объем памяти: 144 Гб
Количество каналов памяти: 3
Поддержка ECC-памяти: +
Пропускная способность памяти: 25.6 Гб/с
🧩

Графические характеристики

1 项规格
集成显卡: N/A
📁

Периферия

1 项规格
PCI Express 版本: 2.0

Технологии и дополнительные инструкции

6 项规格
Enhanced SpeedStep (EIST): +
Turbo Boost Technology: 1.0
Hyper-Threading Technology: +
Idle States: +
PAE: 40 бит
Demand Based Switching: +

Технологии безопасности

2 项规格
TXT: +
EDB: +

Технологии виртуализации

3 项规格
VT-d: +
VT-x: +
EPT: +