Intel Procesor 🏆 Ranking: 65

Intel Xeon w9-3575X

Szczegółowa specyfikacja, wydajność, technologie i wyniki testów.

📅 24 августа 2024 (1 год назад)
Taktowanie bazowe
2.2 GHz
🚀
Boost
4.8 GHz
💾
Pamięć podręczna / pamięć
4 Тб
🔥
Pobór mocy
340 W
🧪
Proces technologiczny
Intel 7 nm
🔗
Gniazdo / interfejs
FCLGA4677
🚀

🚀 Blender Benchmark

Mediana wyniku Blender Benchmark. Wyższa wartość oznacza większą wydajność.

CPU
861,93
samples/min
Blender 5.1.1 Pomiary 1
📁

Базовая информация

10 parametrów
Miejsce w rankingu wydajności: 65
Ranking popularności: не в топ-100
Stosunek ceny do wydajności: 7.65
Typ: Серверный
Efektywność energetyczna: 5.92
Producent projektu: Intel
Producent: Intel
Nazwa kodowa architektury: Sapphire Rapids (2023−2024)
Data premiery: 24 августа 2024 (1 год назад)
Cena w dniu premiery: $3,789
🧩

Подробные характеристики

13 parametrów
Rdzenie: 44
Wątki: 88
Taktowanie bazowe: 2.2 GHz
Maksymalne taktowanie: 4.8 GHz
Pamięć podręczna L1: 80 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L2: 2 Мб (на ядро)
Pamięć podręczna L3: 97.5 Мб
Proces technologiczny: Intel 7 nm
Rozmiar rdzenia: 4x 477 мм2
Obsługa 64-bit: +
Odblokowany mnożnik: +
Максимальная температура корпуса (TCase): 79 °C
Производительных ядер: 44
🔌

Совместимость

3 parametrów
Maks. liczba procesorów w konfiguracji: 1
Gniazdo: FCLGA4677
Pobór mocy (TDP): 340 W

Технологии и дополнительные инструкции

11 parametrów
AES-NI: +
AVX: +
Расширенные инструкции: Intel® SSE4.1, Intel® AMX, Intel® SSE4.2, Intel® AVX2, Intel® AVX-512
Enhanced SpeedStep (EIST): +
Speed Shift: +
Turbo Boost Technology: 2.0
Hyper-Threading Technology: +
TSX: +
Deep Learning Boost: +
vPro: +
Turbo Boost Max 3.0: +
🧩

Характеристики памяти

4 parametrów
Typy pamięci RAM: DDR5-4800
Допустимый объем памяти: 4 Тб
Количество каналов памяти: 8
Поддержка ECC-памяти: +
🧩

Графические характеристики

1 parametrów
Zintegrowana grafika: N/A
📁

Периферия

2 parametrów
Wersja PCI Express: 5.0
Linie PCI Express: 112

Технологии безопасности

4 parametrów
TXT: +
EDB: +
SGX: -
OS Guard: +

Технологии виртуализации

3 parametrów
VT-d: +
VT-x: +
EPT: +