Xeon
Procesor
🏆 Ranking: 1165
Xeon E5-4660 v3
Szczegółowa specyfikacja, wydajność, technologie i wyniki testów.
⚡
Taktowanie bazowe
2.10 GHz
🚀
Boost
2.9 GHz
💾
Pamięć podręczna / pamięć
768 Гб
🔥
Pobór mocy
120 W
🧪
Proces technologiczny
22 nm
🔗
Gniazdo / interfejs
FCLGA2011
Базовая информация
8 parametrów
Miejsce w rankingu wydajności:
1165
Ranking popularności:
не в топ-100
Typ:
Серверный
Efektywność energetyczna:
2.83
Producent projektu:
Intel
Producent:
Intel
Nazwa kodowa architektury:
Haswell-EP (2014−2015)
Data premiery:
1 июня 2015 (11 лет назад)
Подробные характеристики
14 parametrów
Rdzenie:
14
Wątki:
28
Taktowanie bazowe:
2.10 GHz
Maksymalne taktowanie:
2.9 GHz
Pamięć podręczna L1:
64K (на ядро)
Pamięć podręczna L2:
256K (на ядро)
Pamięć podręczna L3:
35 Мб (всего)
Proces technologiczny:
22 nm
Rozmiar rdzenia:
356 мм2
Liczba tranzystorów:
2,600 млн
Obsługa 64-bit:
+
Максимальная температура корпуса (TCase):
83 °C
Скорость шины:
9.6 GT/s
Совместимость с Windows 11:
-
Совместимость
3 parametrów
Maks. liczba procesorów w konfiguracji:
4
Gniazdo:
FCLGA2011
Pobór mocy (TDP):
120 W
Технологии и дополнительные инструкции
10 parametrów
AES-NI:
+
AVX:
+
Расширенные инструкции:
Intel® AVX2
Enhanced SpeedStep (EIST):
+
Turbo Boost Technology:
2.0
Hyper-Threading Technology:
+
Idle States:
+
Thermal Monitoring:
+
PAE:
46 бит
Flex Memory Access:
-
Характеристики памяти
5 parametrów
Typy pamięci RAM:
DDR4
Допустимый объем памяти:
768 Гб
Количество каналов памяти:
4
Поддержка ECC-памяти:
+
Пропускная способность памяти:
68 Гб/с
Периферия
2 parametrów
Wersja PCI Express:
3.0
Linie PCI Express:
40
Технологии безопасности
3 parametrów
TXT:
+
EDB:
+
OS Guard:
+
Технологии виртуализации
3 parametrów
VT-d:
+
VT-x:
+
EPT:
+