Xeon Procesor 🏆 Ranking: 2282

Xeon X5570

Szczegółowa specyfikacja, wydajność, technologie i wyniki testów.

📅 30 марта 2009 (17 лет назад)
Taktowanie bazowe
2.93 GHz
🚀
Boost
3.33 GHz
💾
Pamięć podręczna / pamięć
144 Гб
🔥
Pobór mocy
95 W
🧪
Proces technologiczny
45 nm
🔗
Gniazdo / interfejs
FCLGA1366
📁

Базовая информация

10 parametrów
Miejsce w rankingu wydajności: 2282
Ranking popularności: не в топ-100
Stosunek ceny do wydajności: 2.98
Typ: Серверный
Efektywność energetyczna: 0.83
Producent projektu: Intel
Producent: Intel
Nazwa kodowa architektury: Gainestown (2009−2010)
Data premiery: 30 марта 2009 (17 лет назад)
Cena w dniu premiery: $49
🧩

Подробные характеристики

13 parametrów
Rdzenie: 4
Wątki: 8
Taktowanie bazowe: 2.93 GHz
Maksymalne taktowanie: 3.33 GHz
Pamięć podręczna L1: 64 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L2: 256 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L3: 8 Мб (всего)
Proces technologiczny: 45 nm
Rozmiar rdzenia: 263 мм2
Liczba tranzystorów: 731 млн
Obsługa 64-bit: +
Максимальная температура ядра: 75 °C
Совместимость с Windows 11: -
🔌

Совместимость

3 parametrów
Maks. liczba procesorów w konfiguracji: 2
Gniazdo: FCLGA1366
Pobór mocy (TDP): 95 W
🧩

Характеристики памяти

5 parametrów
Typy pamięci RAM: DDR3
Допустимый объем памяти: 144 Гб
Количество каналов памяти: 3
Поддержка ECC-памяти: +
Пропускная способность памяти: 32 Гб/с
🧩

Графические характеристики

1 parametrów
Zintegrowana grafika: N/A
📁

Периферия

1 parametrów
Wersja PCI Express: 2.0

Технологии и дополнительные инструкции

6 parametrów
Enhanced SpeedStep (EIST): +
Turbo Boost Technology: 1.0
Hyper-Threading Technology: +
Idle States: +
PAE: 40 бит
Demand Based Switching: +

Технологии безопасности

2 parametrów
TXT: +
EDB: +

Технологии виртуализации

3 parametrów
VT-d: +
VT-x: +
EPT: +