Xeon Procesor 🏆 Ranking: 2505

Xeon L5530

Szczegółowa specyfikacja, wydajność, technologie i wyniki testów.

📅 9 августа 2009 (16 лет назад)
Taktowanie bazowe
2.40 GHz
🚀
Boost
2.66 GHz
💾
Pamięć podręczna / pamięć
144 Гб
🔥
Pobór mocy
60 W
🧪
Proces technologiczny
45 nm
🔗
Gniazdo / interfejs
FCLGA1366
📁

Базовая информация

8 parametrów
Miejsce w rankingu wydajności: 2505
Ranking popularności: не в топ-100
Typ: Серверный
Efektywność energetyczna: 1.01
Producent projektu: Intel
Producent: Intel
Nazwa kodowa architektury: Gainestown (2009−2010)
Data premiery: 9 августа 2009 (16 лет назад)
🧩

Подробные характеристики

13 parametrów
Rdzenie: 4
Wątki: 8
Taktowanie bazowe: 2.40 GHz
Maksymalne taktowanie: 2.66 GHz
Pamięć podręczna L1: 64 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L2: 256 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L3: 8 Мб (всего)
Proces technologiczny: 45 nm
Rozmiar rdzenia: 263 мм2
Liczba tranzystorów: 731 млн
Obsługa 64-bit: +
Максимальная температура ядра: 70 °C
Совместимость с Windows 11: -
🔌

Совместимость

3 parametrów
Maks. liczba procesorów w konfiguracji: 2
Gniazdo: FCLGA1366
Pobór mocy (TDP): 60 W
🧩

Характеристики памяти

5 parametrów
Typy pamięci RAM: DDR3
Допустимый объем памяти: 144 Гб
Количество каналов памяти: 3
Поддержка ECC-памяти: +
Пропускная способность памяти: 25.6 Гб/с
🧩

Графические характеристики

1 parametrów
Zintegrowana grafika: N/A
📁

Периферия

1 parametrów
Wersja PCI Express: 2.0

Технологии и дополнительные инструкции

6 parametrów
Enhanced SpeedStep (EIST): +
Turbo Boost Technology: 1.0
Hyper-Threading Technology: +
Idle States: +
PAE: 40 бит
Demand Based Switching: +

Технологии безопасности

2 parametrów
TXT: +
EDB: +

Технологии виртуализации

3 parametrów
VT-d: +
VT-x: +
EPT: +