Xeon Procesor 🏆 Ranking: 588

Xeon E5-2699A v4

Szczegółowa specyfikacja, wydajność, technologie i wyniki testów.

📅 25 октября 2016 (9 лет назад)
Taktowanie bazowe
2.40 GHz
🚀
Boost
3.6 GHz
💾
Pamięć podręczna / pamięć
1.5 Тб
🔥
Pobór mocy
145 W
🧪
Proces technologiczny
14 nm
🔗
Gniazdo / interfejs
FCLGA2011
📁

Базовая информация

11 parametrów
Miejsce w rankingu wydajności: 588
Ranking popularności: не в топ-100
Stosunek ceny do wydajności: 0.46
Typ: Серверный
Efektywność energetyczna: 4.47
Producent projektu: Intel
Producent: Intel
Nazwa kodowa architektury: Broadwell-EP (2016)
Data premiery: 25 октября 2016 (9 лет назад)
Cena w dniu premiery: $4,938
Серия: Intel Xeon E5
🧩

Подробные характеристики

16 parametrów
Rdzenie: 22
Wątki: 44
Taktowanie bazowe: 2.40 GHz
Maksymalne taktowanie: 3.6 GHz
Pamięć podręczna L1: 64 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L2: 256 Кб (на ядро)
Pamięć podręczna L3: 55 Мб (всего)
Proces technologiczny: 14 nm
Rozmiar rdzenia: 456.12 мм2
Liczba tranzystorów: 7,200 млн
Obsługa 64-bit: +
Максимальная температура корпуса (TCase): 70 °C
Множитель: 24
Скорость шины: 2 × 9.6 GT/s
Совместимость с Windows 11: -
Тип шины: QPI
🔌

Совместимость

3 parametrów
Maks. liczba procesorów w konfiguracji: 2 (Multiprocessor)
Gniazdo: FCLGA2011
Pobór mocy (TDP): 145 W

Технологии и дополнительные инструкции

13 parametrów
AES-NI: +
AVX: +
Расширенные инструкции: Intel® AVX2
Enhanced SpeedStep (EIST): +
Turbo Boost Technology: 2.0
Hyper-Threading Technology: +
TSX: +
vPro: +
Idle States: +
Thermal Monitoring: +
PAE: 46 бит
Flex Memory Access: -
Demand Based Switching: +
🧩

Характеристики памяти

5 parametrów
Typy pamięci RAM: DDR4-1600, DDR4-1866, DDR4-2133, DDR4-2400
Допустимый объем памяти: 1.5 Тб
Количество каналов памяти: 4
Поддержка ECC-памяти: +
Пропускная способность памяти: 76.8 Гб/с
🧩

Графические характеристики

1 parametrów
Zintegrowana grafika: N/A
📁

Периферия

2 parametrów
Wersja PCI Express: 3.0
Linie PCI Express: 40

Технологии безопасности

3 parametrów
TXT: +
EDB: +
OS Guard: +

Технологии виртуализации

3 parametrów
VT-d: +
VT-x: +
EPT: +